里卡多合作安世半导体为GaN电动汽车逆变器研发技术验证机
2020/02/28 11:29
中金在线
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盖世汽车讯 据外媒报道，荷兰安世半导体(Nexperia)公司宣布与里卡多公司(Ricardo)建立合作伙伴关系，为基于氮化镓(GaN)技术制成的电动汽车逆变器研发技术验证机。
GaN是电动汽车逆变器等应用的首选开关，因为GaN场效应晶体管(FET)可让系统的效率更高、成本降低、热性能得到改进、开关拓补变得更简单。从汽车角度看，可以让汽车的续航里程变长，而续航里程也是困扰人们是否购买电动汽车的主要问题之一。目前，GaN即将取代SiC(碳化硅)或硅基绝缘栅门极晶体管(IGBT)，成为插电式混合动力汽车和纯电动汽车牵引逆变器的首选技术。
去年，Nexperia推出获得AEC-Q101认证的GaN设备系列，为汽车设计人员提供了一个经过验证、可靠的设备产品组合，能够满足动力系统电气化所要求的功率密度。里卡多在汽车行业也享有很高的声誉，该公司主要为汽车行业提供概念设计和概念咨询服务，包括制造和演示原型，而且还与迈凯伦和布加迪等知名领先汽车品牌进行了合作。
安世半导体GaN总经理Michael LeGoff表示：“通过将我们的GaN设备设计成一款逆变器，并通过里卡多进行测试，就能够更好地理解车辆如何能够更安全、更可靠地驾驶。”
里卡多公司技术与产品总监Adrian Greaney表示：“半导体技术是逆变器系统的关键，对于电动汽车的性能和效率尤为关键。GaN在开关速度和效率方面提供了很大的益处，是一项真正的好技术。除了能够增加汽车的续航里程，还能够减小逆变器套件的尺寸和重量，从而使动力系统设计变得更加灵活，并有助于减轻车辆重量。”(文中图片均来自里卡多)
GaN是电动汽车逆变器等应用的首选开关，因为GaN场效应晶体管(FET)可让系统的效率更高、成本降低、热性能得到改进、开关拓补变得更简单。从汽车角度看，可以让汽车的续航里程变长，而续航里程也是困扰人们是否购买电动汽车的主要问题之一。目前，GaN即将取代SiC(碳化硅)或硅基绝缘栅门极晶体管(IGBT)，成为插电式混合动力汽车和纯电动汽车牵引逆变器的首选技术。
去年，Nexperia推出获得AEC-Q101认证的GaN设备系列，为汽车设计人员提供了一个经过验证、可靠的设备产品组合，能够满足动力系统电气化所要求的功率密度。里卡多在汽车行业也享有很高的声誉，该公司主要为汽车行业提供概念设计和概念咨询服务，包括制造和演示原型，而且还与迈凯伦和布加迪等知名领先汽车品牌进行了合作。
安世半导体GaN总经理Michael LeGoff表示：“通过将我们的GaN设备设计成一款逆变器，并通过里卡多进行测试，就能够更好地理解车辆如何能够更安全、更可靠地驾驶。”
里卡多公司技术与产品总监Adrian Greaney表示：“半导体技术是逆变器系统的关键，对于电动汽车的性能和效率尤为关键。GaN在开关速度和效率方面提供了很大的益处，是一项真正的好技术。除了能够增加汽车的续航里程，还能够减小逆变器套件的尺寸和重量，从而使动力系统设计变得更加灵活，并有助于减轻车辆重量。”(文中图片均来自里卡多)
